OB2262 OB2263开关电源IC
| 价 格： | 0.55 |
| 品牌/商标 | ON-BRIGHT | 型号/规格 | OB2263 |
| 封装 | DIP/SOP-8 | 批号 | 11+ |
| 类型 | 其他IC |
低待机功耗：OB2262/OB2263 通过特别的低功耗间
歇工作模式设计不但可以让整个系统在空载的状态
下轻易达到国际能源机构的推荐标准，而且能让
系统在较轻负载(＜1/5 load)的情况下同样具有超低
耗的性能。
▲ 无噪声工作：使用OB2262/OB2263 设计的电源无论
在空载、轻载和满载的情况下都不会产生音频噪声。
优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安
静地工作。
▲ 更低启动电流：OB2262/OB2263 的启动电流低至
3uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统
的启动时间。
▲ 更低工作电流：OB2262/OB2263 的工作电流约为
1.4mA，可有效降低系统的损耗，提高系统的效率。
▲ 内置前沿消隐：内置前沿消隐（LEB），可以为系统节省了一个外部的R-C 网络，
降低系统成本。
▲ 完善的保护功能：OB2262/OB2263 集成了较完善的保护功能模块。UVLO，OCP，
恒定的OLP 保护功能可以使系统设计更简洁可靠，同时满足安规的要求。
▲ MOSFET 软驱动：可有效的改善系统的EMI。
▲ 较少的外围器件：OB2262/OB2263 外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，
降低系统的成本。
▲ OB2263 优良的EMI 特性：OB2263 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统
的EMI 特性，同时可以降低系统的EMI 成本。
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IRF4905PBF 50w功率P沟道MOS管
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF4905NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 74（mA） 耗散功率 1（mW） 产品图片产品特点IRF4905 概述 IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF4905采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF4905这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著...
DS18B20+ DALLAS原装单总线数字温度传感器
信息内容：品牌/商标 DALLAS 型号/规格 DS18B20+ 封装 TO-90 批号 11+ 类型 温控IC 产品图片dzsc/18/2460/18246060.jpg产品特点DS18B20 单线数字温度传感器，即“一线器件”，其具有独特的优点： （ 1 ）采用单总线的接口方式 与微处理器连接时 仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。 单总线具有经济性好，抗干扰能力强，适合于恶劣环境的现场温度测量，使用方便等优点，使用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。 （ 2 ）测量温度范围宽，测量精度高 DS18B20 的测量范围为 -55 ℃ ~+ 125 ℃ ； 在 -10~+ 85°C 范围内，精度为 ± 0.5°C 。 （ 3 ）在使用中不需要任何外围元件。 （ 4 ）持多点组网功能 多个 DS18B20 可以并联在惟一的单线上，实现多点测温。 （ 5 ）供电方式灵活 DS18B20 可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源。因此，当数据线上的时序满足一定的要求时，可以不接外部电源，从而...
