价 格: | 1.00 |
品牌:ST意法半导体 型号:STP4NK60Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:60(V) 低频跨导:101(μS) 极间电容:20(pF) 低频噪声系数:10(dB) 漏极电流:230(mA) 耗散功率:1000(mW)
STP4NK60Z/FP, STB4NK60Z/-1, STD4NK60Z/-1 |
TO-220 Pkg |
ST Series TO-220 |
50 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
SuperMESH™ |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
2 歐姆 @ 2A, 10V |
600V |
4A |
4.5V @ 50µA |
26nC @ 10V |
510pF @ 25V |
70W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
* |
497-8004-KIT-ND- KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA |
497-3191-5 |
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 KSA940 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 4(MHz) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 1.5(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 規格書KSA940產品相片TO-220-3 Pkg產品變化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007標準包裝200類別離散半導體產品家庭電晶體(BJT) - 單路系列-電晶體類型PNP電流 - 集電極(Ic)(值)1.5A電壓 - 集電極發射極擊穿...
品牌/商标 KEC 型号/规格 B688 D718 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 10(MHz) 集电极允许电流ICM 10(A) 集电极耗散功率PCM 80(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 D718 NPN管 极限参数为120V、8A、80W ,常与B688 PNP 120V8A80W 配对型号 电压(V) 电流(A) 功率(W) 相近型号 资料2N3055--MJ2955 100 15 115 2SA1301--2SC3280 160 12 120 2SA1302--2SC3281 200 15 150 2SA1943--2S...