品牌/商标 | JCC | 型号/规格 | 400v10000uf |
介质材料 | 铝电解 | 应用范围 | 滤波 |
外形 | 圆柱形 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 轴向引出线 | 允许偏差 | ±20(%) |
耐压值 | 450(V) | 等效串联电阻(ESR) | 1(mΩ) |
标称容量 | 10000(uF) | 损耗 | 1 |
额定电压 | 1(V) | 绝缘电阻 | 1(mΩ) |
温度系数 | 105 |
三极管 | 2SC4706 | 三肯 | TO-3P | 1.6 | 旧品 |
三极管 | 2SC2625 | 富士通 | TO-3P | 1.95 | 旧品 |
三极管 | E13009L | 仙童 | TO-3P | 1.65 | 旧品 |
三极管 | C4138 | 三肯 | TO-3P | 1.65 | 旧品 |
肖特基 | MBR30100 | 台产/VIS | TO-3P | 1.6 | 旧品 |
肖特基 | 40CPQ100 | IR | TO-3P | 2 | 旧品 |
肖特基 | 30CPQ100 | IR | TO-3P | 1.8 | 旧品 |
肖特基 | MBR6045 | 台产/VIS | TO-3P | 1.25 | 旧品 |
肖特基 | MBR3045 | 台产/VIS | TO-3P | 0.6 | 旧品 |
肖特基 | STPS3045 | ST | TO-3P | 0.6 | 旧品 |
肖特基 | D83-004 | 富士通 | TO-3P | 0.65 | 旧品 |
肖特基 | MBR4045PT | 台产/VIS | TO-3P | 0.85 | 旧品 |
肖特基 | E83-004 | 富士通 | TO-3P | 0.95 | 旧品 |
电解电容 | 250V470UF | 翻新 | 22X35 | 1.2 | 旧品 |
安规电容 | 0.1UF/275V | 15MM | 0.12 | 新品 | |
CBB电容 | 225/250V | 25MM | 0.4 | 新品 | |
CBB电容 | 225/400V | 25MM | 0.25 | 旧品 | |
NTC热敏电阻 | 2.5D-15 | DIP | 0.29 | 新品 | |
二极管 | IN5408 | DO-042 | 0.15 | 新品 | |
二极管 | HER208 | DO-042 | 0.1 | 新品 | |
二极管 | FR307 | DO-042 | 0.25 | 新品 | |
二极管 | UF5408 | DO-042 | 0.3 | 新品 | |
二极管 | FR207 | DO-042 | 0.07 | 新品 | |
二极管 | HER107 | DO-042 | 0.055 | 新品 | |
桥堆 | KBJ406 | DIP | 0.32 | 旧品 | |
桥堆 | KBL406 | DIP | 0.27 | 旧品 | |
桥堆 | D25XB60 | DIP | 1.1 | 旧品 | |
桥堆 | D15XB60 | DIP | 0.95 | 旧品 | |
桥堆 | KBU8K | DIP | 0.6 | 旧品 | |
桥堆 | D10XB60 | 新电源 | DIP | 0.65 | 旧品 |
场效应管 | IRFP460 | IR | TO-3P | 2.6 | 旧品 |
场效应管 | IRFP450 | IR | TO-3P | 1.5 | 旧品 |
场效应管 | 20N50 | ST | TO-3P | 1.35 | 旧品 |
场效应管 | 20N60 | ST | TO-3P | 1.6 | 旧品 |
场效应管 | 15N60 | 英飞凌 | TO-3P | 1.8 | 旧品 |
快恢复 | S20LC20 | 新电源 | TO-3P | 2.2 | 旧品 |
快恢复 | BYV72-200 | 飞利浦 | TO-3P | 2 | 旧品 |
场效应管 | K2850 | 富士通 | TO-3P | 1.6 | 旧品 |
长期供货,欢迎订购,QQ728429602
品牌/商标 进口 型号/规格 400V68UF,450V68UF 介质材料 铝电解 应用范围 高压 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±20(%) 耐压值 450(V) 等效串联电阻(ESR) 2355(mΩ) 标称容量 68(uF) 损耗 0.08 额定电压 450(V) 绝缘电阻 1555(mΩ) 温度系数 105
品牌/商标 NEC 型号/规格 K2482,K2477,K2486 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 900(V) 夹断电压 900(V) 低频跨导 0.01(μS) 极间电容 800(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 8(mA) 耗散功率 140(mW)