品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | A44E |
应用范围 | 开关 | 材料 | 锗(Ge) |
极性 | NPN型 | 集电极允许电流ICM | 20(A) |
集电极耗散功率PCM | 3(W) | 截止频率fT | 10(MHz) |
结构 | 面接触型 | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 塑料封装 |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A44 TRANSISTOR( NPN )
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.625 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM : 0.2 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 400 V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA , IE=0 400 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1 mA , IB=0 400 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=400 V , IE=0 0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCE=400 V , 5 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 4 V , IC=0 0.1 μA
HFE(1) VCE=10V , IC=10 mA 80 300
DC current gain HFE(2) VCE=10V, IC=1mA 70
HFE(3) VCE=10V ,IC=100 mA 60
VCE(sat) IC=10 mA, IB=1mA 0.2 V
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=50 mA, IB=5mA 0.3 V
Base-emitter sataration voltage VBE(sat) IC=10 mA, IB= 1 mA 0.75 V
Transition frequency f T
VCE=20V, IC=10mA
f =30MHz
50 MHz
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TO—92
1.EMITTER
2.BASE
3. COLLECTOR
应用范围 隔离 种类 电感磁珠 品牌/商标 国产 型号/规格 33UH 封装形式 贴片电感 绕线形式 单层密绕式 导磁体性质 铁芯 磁芯形状 柱形 工作频率 高频 安装方式 立式密封 骨架材料 胶木 品质因数Q 12 电感量 0.33(mH) 允许误差 10 感抗XL 21(Ω) 额定电流 10(mA) 分布电容 20(F) 标称电压 10(V)
应用范围 滤波 种类 电流互感器 品牌/商标 进口 型号/规格 3225 10UH 封装形式 插件电感 绕线形式 单层间绕式 导磁体性质 磁芯 磁芯形状 长方形 工作频率 高频 安装方式 贴片式 骨架材料 聚苯乙烯 SMD电容器 ·SMD固体钽质电容器(0805、A、B、C、D、E型, 0.1~1000uF/4~50V) ·SMD钽质铝电解电容器(Φ3、4、5、6、8、10、12mm, 0.1~1000uF/4~50V) ·SMD陶瓷独石电容器(0402、0603、0805、1206、1210、1812、2220……1P~20uF/10~5000V; J、K、M、S、Z档) SMD电阻器(0402、0603、0805、1206、1/16W、1/10W、1/8W、1/4W; 1Ω~20MΩ) ·SMD电阻排(0402、0603、0805/1Ω~10MΩ) &mi...