大量供应贴片可控硅 BT136S
| 价 格： | 0.58 |
品牌:国产 型号:BT136S 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:低频 功率特性:小功率 额定正向平均电流:4（A） 控制极触发电流:5/5/5/10（mA） 稳定工作电流:4（A） 反向重复峰值电压:600（V）
主要参数：
通态电流IT(RMS)=4A
浪涌电流ITSM=25A
正向耐压VDRM＞600V
反向耐压VRRM＞600V
触发电流IGT(Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ)＜5/5/5/10 mA(D)，10/10/10/25 mA(E)
通态压降VTM＜1.7V(5A)
直接代换(PH)型号包括：BT136X-600D，BT136X-600E，BT136X-800D，BT136X-800E
相关系列(PH)型号包括：BT134，BT136，BT136X，BT137，BT137X，BT138，BT138X，BT139，BT139X，BTA140
致力于可控硅国产化，让我们做得更好！
产品详细参数电压 ： 600/800V 触发电流 ： 5/5/5/10 mA
- 所属城市：江苏 无锡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 魏敏峰
- 电话：0510-83880883
- 传真：0510-83880883
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大量优惠供应MOS BUZ11 MOS 管
信息内容：特征：•30A，50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•Linear Transfer Characteristics•High Input Impedance•Majority Carrier Device
可控硅(SCR) MCR16
信息内容：主要参数：通态电流IT(RMS)=16A浪涌电流ITSM=160A正向耐压VDRM＞600V反向耐压VRRM＞600V触发电流IGT＜25mA通态压降VTM＜1.6V(32A) 直接代换(ON)型号包括：MCR16M，MCR16N，MCR16MG，MCR16NG相关系列(ON)型号包括：C106，MCR106，MCR72，MCR8，MCR8S，MCR310，MCR12，MCR12L，MCR16，MCR25，2N6397，2N5403，2N6507致力于可控硅国产化，让我们做得更好！产品详细参数电压 ： 600/800V 触发电流 ： 6-7mA"
