3DD12NPN硅低频大功率晶体管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 3DD12 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 低频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 100（MHz） | 集电极允许电流ICM | 20（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 200（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
| NPN硅低频大功率晶体管3DD12 |
| 品牌 卫光 型号 3DD12A/B/C/D 类别 直插 结构 平面型 封装形式 G-5 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 大功率 频率类型 低频 封装材料 金属封装 应用范围 放大 特点：产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，抗热疲劳能力强 |
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3DD11NPN硅低频大功率晶体管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 3DD11 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 100（MHz） 集电极允许电流ICM 20（A） 集电极耗散功率PCM 200（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
NPN硅低频大功率晶体管3DD9
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 3DD9 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 100（MHz） 集电极允许电流ICM 15（A） 集电极耗散功率PCM 150（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 NPN硅低频大功率晶体管3DD9品牌 国产 型号 3DD9应用范围 功率 功率特性 大功率频率特性 低频 极性 NPN型结构 面接触型 材料 硅(Si)封装形式 直插型 封装材料 金属封装集电极允许电流 15（A） 集电极允许耗散功率 150（W） 营销方式...
