富士场效应管2SK3673-01MR
| 价 格： | 面议 |
| 品牌/商标 | 富士 | 型号/规格 | 2SK3673-01MR |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
- 所属城市：广东 深圳
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日本富士场效应管2SK2654
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2654 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 2SK2654-01900V8A2.00ΩTO-3P
日本富士场效应管2SK3451-01MR
信息内容：品牌/商标 FJD日本富士电机 型号/规格 2SK3451-01MR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 2SK3451-01MR600V13A0.65ΩTO-220F
