品牌/商标 | MIT日本三菱 | 型号/规格 | FS10SM-12 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | AM/调幅 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 500(V) | 夹断电压 | 500(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 10(mA) |
耗散功率 | 240(mW) |
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品牌/商标 MOT 型号/规格 2N4318 应用范围 微波 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 1(V) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 截止频率fT 1(MHz) 结构 点接触型 封装形式 TO-3 封装材料 金属封装 2N4318三极管2SC4706三肯TO-3P1.6旧品三极管2SC2625富士通TO-3P1.95旧品三极管E13009L仙童TO-3P1.65旧品三极管C4138三肯TO-3P1.65旧品肖特基MBR30100台产/VISTO-3P1.6旧品肖特基40CPQ100IRTO-3P2旧品肖特基30CPQ100IRTO-3P1.8旧品肖特基MBR6045台产/VISTO-3P1.25旧品肖特基MBR3045台产/VISTO-3P0.6旧品肖特基STPS3045STTO-3P0.6旧品肖特基D83-004富士通TO-3P0.65旧品肖特基MBR4045PT台产/VISTO-3P0.85旧品...
品牌/商标 ST 型号/规格 TIP35C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 1(V) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 截止频率fT 1(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装