MUR1520 RHRP1560
| 价 格： | 面议 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | MBR28045CT MBR20045CT MBR30045CT MBR20100PT MBR30100PT 30CPQ100 30CPQ050 MBR7030 |
| 产品类型 | 肖特基管 | 结构 | 外延型 |
| 材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 模块 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 无色散射封装(W) | 出光面特征 | 方形 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 300（A） |
| 反向电压 | 45（V） |
- 所属城市：广东 汕头
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4N60 4NK60Z 可控硅 8N60 9N60 11N60
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFB3077 IRL2203N L2203N 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 VA/场输出级 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 75V210A（V） 夹断电压 10（V） 跨导 10（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 10（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 10（mW）
长期供应进口拆机场效应管 IRF630
信息内容：品牌/商标 仙童 三星 SEC 型号/规格 IRF630 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 50（V） 跨导 10（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 10（mW）
