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LangTuo全系列气体放电管

价 格: 面议

品牌:LangTuo 型号:5~20KA 种类:放电管 用途:交通系统 体积:小型 电压特性:安全电压 形状:插片式 熔断速度:M/中速 执行标准:国标 电流:10000(A)

LangTuo陶瓷放电管GDT的特点:

1 GDT100V/s的慢速突波到10kV/μs高速突波均能提供极快的反应速度。

2 提供稳定的击穿电压

3 高绝缘电阻,高绝缘电阻的特性使GDT可以在高温高湿度下亦有良好的反应。

4 较低的电容特性,低电容特性能够减少干扰或在高频的操作环境下减低传送损失。

5 高过保持电压,能够快速回复高组抗状态以确保连续操作下的安全性。

6 使用期限长,在一般状态下使用期限超过 10 年。

7 电路设计简单,且对原电路没有任何影响。

8 无放射性,GDT不含放射性物质,对于人体、环境及生态无不良影响。

应用领域
(一)、作为保护器件
若您的线路,设备或元件不能耐受高于正常工作电压的瞬时过电压的冲击(如:雷电、感应电压、操作过电压等),您都可以利用放电管对它们加以保护.下列是典型的应用:
A 信号保护
·电子线路中集成块、晶闸管、芯片等昂贵元件及线路板.
·电信网络中的信号线、网线、电话卡、交换机、传真机、电话机、配线架、交接箱、基站、移动电话天线.
·计算机系统的主机、 modem、数据处理系统、长分支线、短分支线及各种终端设备等
·视频系统、CATV设备、阴极射线管(CRT
·实验设备、测试设备
·各种家用电器
B 电源保护
建议选用对应的中、高及超高流容量系列放电管.
·各种设备的电源防雷(从几伏~数千伏)
·电源插座、电源转换器、插线、空气开关、负荷开关等低压电器
·铁路电力、电气系统
·LC设备、电动机、潜水泵
·传动设备浪涌电压防护

LangTuo提供从金属、陶瓷到半导体的丰富电路保护产品,目前的产品系列包括保护晶闸管TSSTVS二极管、二极管阵列、气体放电管、PPTC保险丝、MLVMOV。请关注http://www.szlangtuo.com

浪拓电子(深圳)公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: tiger
  • 电话:0755-26515492
  • 传真:0755-26515492
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公司相关产品

RS-485防雷放电管BA301N(图)

信息内容:

品牌:LangTuo 型号:BA301N 种类:放电管 用途:仪表 体积:小型 电压特性:安全电压 形状:平板式浪拓电子(LangTuo)有限公司系列产品GDT气体放电管应用涵盖通讯、IT、汽车、电池、消费品电器等领域,可为客户提供全面的、的线路防护解决方案。浪拓公司是国内最全的防雷保护器件制造商之一。 Part Number DCSpark-over Voltage Impulse Life Test Minimum Insulation Resistance Maximum Capacitance Impulse Discharge Current Impulse Discharge Voltage Device Marking Code (V) 8/20μs 100A Test Voltage (M?) (1MHz 1V) 8/20μs (Times) DC(V) (pF) (A) LT-BA091N 90±25% 100 50 100 0.5 5000 10/700μs 4kV ±5 Times 090 LT-BA151N 150±25% 100 50 100 0.5 5000 150 LT-BA201N 200±25% 100 100 100 0.5 5000 200 LT-BA301N 300±25% 100 100 100 0.5 5000 300 LT-BA401N 400±25% 100 100 100 0.5 5000 400 LT-BA401N-D 400±30% 100 ...

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气体放电管、贴片气体放电管BA401N(图)

信息内容:

品牌:LangTuo 型号:BA401N 种类:放电管浪拓电子(LangTuo)有限公司系列产品GDT气体放电管应用涵盖通讯、IT、汽车、电池、消费品电器等领域,可为客户提供全面的、的线路防护解决方案。浪拓公司是国内最全的防雷保护器件制造商之一。 Part Number DCSpark-over Voltage Impulse Life Test Minimum Insulation Resistance Maximum Capacitance Impulse Discharge Current Impulse Discharge Voltage Device Marking Code (V) 8/20μs 100A Test Voltage (M?) (1MHz 1V) 8/20μs (Times) DC(V) (pF) (A) LT-BA091N 90±25% 100 50 100 0.5 5000 10/700μs 4kV ±5 Times 090 LT-BA151N 150±25% 100 50 100 0.5 5000 150 LT-BA201N 200±25% 100 100 100 0.5 5000 200 LT-BA301N 300±25% 100 100 100 0.5 5000 300 LT-BA401N 400±25% 100 100 100 0.5 5000 400 LT-BA401N-D 400±30% 100 100 100 0.5 5000 400

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