品牌/商标 天盛
品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT3906 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 40(V) 截止频率fT 250(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR NPN 50V 150MA数据列表MMDT3906产品相片SOT-363 PKG产品变化通告Encapsulate Change 09/July/2007Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-363 Package TopSOT-363 Package Side 1SOT-363 Package Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 阵列系列-晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)()200mA电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 200mW频率 - 转换250MHz安装...