供应场效应管（功率MOSFET）TSP10N60M
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:TRUESEMI 型号:TSP10N60M 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） 极间电容:参见详细说明（pF） 漏极电流:参见详细说明（mA） 耗散功率:参见详细说明（mW）
该产品部分相关参数如下：
VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)
ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 10 A (@TC = 25°C)
Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 162 W（TC=25℃）
极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)：
Ciss（输入电容Input Capacitance）：1650 pF(Typ.)
Coss （输出电容Output Capacitance）：165 pF(Typ.)
Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：18pF(Typ.)
Qg(低栅电荷Low gate charge): 48 nC(Typ.)
RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.75 Ω(Max.)
主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为不含税价！
产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
- 所属城市：江苏 南京
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- 联系人： 贺伟峰
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供应专为节能灯设计的三极管3DD13003H8D
信息内容：3DD13003H8D硅NPN型功率开关晶体管，主要用于电子节能灯、电子镇流器及手机充电器的功率开关电路。其特点如下：1、 开关损耗低、可靠性高2、 高温特性好3、反向漏电流小4、电流特性好5、封装形式：TO-220主要用途：主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件。主要参数：BVCEO=700VIC=1.8APtot=1.5W （Ta=25℃） 价格为不含税价！本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。"
供应专为节能灯设计的三极管3DD13005N8D 华晶
信息内容：3DD13005N8D硅NPN型功率开关晶体管，主要用于电子节能灯、电子镇流器及手机充电器的功率开关电路。适用功率：36~40W其特点如下：1、 开关损耗低、可靠性高2、 高温特性好3、反向漏电流小4、电流特性好5、封装形式：TO-220AB主要用途：主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件。主要参数：BVCEO=700VIC=4APtot=2W （Ta=25℃） 以上价格为不含税价！本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。"
