供应场效应管（功率MOSFET）CS4N60
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:无锡华晶 型号:CS4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） 跨导:参见详细说明（μS） 极间电容:参见详细说明（pF） 耗散功率:参见详细说明（mW）
CS4N60型硅N沟道VDMOS功率晶体管，主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。其特点如下：
1、开关速度快
2、通态电阻低
3、可并联使用
4、驱动简单
5、封装形式：TO-220AB
典型参考数据:
VDSS = 600V
ID = 4A
Ptot= 75W （TC=25℃）
主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为不含税价！
产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
- 所属城市：江苏 南京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 贺伟峰
- 电话：025-87771568
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供应场效应管（功率MOSFET）TSP8N60M
信息内容：品牌:TRUESEMI 型号:TSP8N60M 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） 极间电容:参见详细说明（pF） 漏极电流:参见详细说明（mA） 耗散功率:参见详细说明（mW） 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 7.5 A (@TC = 25°C)Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 165 W（TC=25℃）极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)： Ciss（输入电容Input Capacitance）：1255 pF(Typ.)Coss （输出电容Output Capacitance）：115 pF(Typ.)Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：14.2 pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 30 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 1.0 Ω(Max.) 主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价！ 产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！ 本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、...
供应场效应管（功率MOSFET）STK0460F
信息内容：品牌:AUK 型号:STK0460F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） 极间电容:参见详细说明（pF） 漏极电流:参见详细说明（mA） 耗散功率:参见详细说明（mW）韩国AUK出品 韩国原产进口。品质保证，价格优惠。长期现货供应。提供韩国AUK全线产品。 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 4 A (@TC = 25°C)Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 25 W（TC=25℃）极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)： Ciss（输入电容Input Capacitance）：520 pF(Typ.)Coss （输出电容Output Capacitance）：35 pF(Typ.)Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：7.5 pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 16 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 2.5 Ω(Max.) 主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价！ 产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！ 本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应...
