供应N沟道功率MOSFET NTD4804NT4G
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:ON Semiconductor 型号:NTD4804NT4G 批号:09+ 封装:TO-252/D-PAK 营销方式:厂家直销 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:单极型 集成程度:小规模 规格尺寸:6.35×5.97（mm） 工作温度:-55 to175（℃） 静态功耗:2.24（mW） 类型:其他IC
型号：NTD4804NT4G
生产商：ON semiconductor 安森美半导体
封装：D-PAK/TO-252
批号：09+/10+全新环保
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Power MOSFET
30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
Features
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• These are Pb−Free Devices
Applications
• CPU Power Delivery
• DC−DC Converters
• Low Side Switching
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供应N沟道功率MOSFET STD150NH02L
信息内容：品牌:ST 型号:STD150NH02L 批号:10+ 封装:TO-252 营销方式:厂家直销 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:小规模 规格尺寸:6.4×6（mm） 工作温度:-55 to 175（℃） 静态功耗:125（mW） 类型:其他IC型号：STD150NH02L （N-CHANNEL 24V - 0.003 W - 150A ClipPAK™/IPAK STripFET™ III POWER MOSFET） 厂家：ST 封装：TO-252 数量：750000 TYPE VDSS RDS(on) IDSTD150NH02L 24 V < 0.0035 W 150 A n TYPICAL RDS(on) = 0.003 W @ 10 Vn TYPICAL RDS(on) = 0.005 W @ 5 Vn RDS(ON) * Qg INDUSTRY’s BENCHMARKn CONDUCTION LOSSES REDUCEDn SWITCHING LOSSES REDUCEDn LOW THRESHOLD DEVICEn THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWERPACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")n SURFACE-MOUNTING POWER PACKAGEIN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”) dzsc/17/9232/17923204.jpg DESCRIPTIONThe STD150NH02L utilizes the latest advanced designrules of ST’s pro...
低价供应功率 MOSFET IRFL4105 原装
信息内容：品牌:IR 型号:IRFL4105TRPBF 批号:09+ 封装:SOT-223 营销方式:厂家直销 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:小规模 规格尺寸:6.30×3.30（mm） 工作温度:-55 to + 150（℃） 静态功耗:2.1（mW） 类型:其他IC型号：IRFL4105TRPBF (HEXFET® Power MOSFET) 厂家：IR International Rectifier 封装：SOT-223 dzsc/18/2381/18238163.jpgdzsc/18/2381/18238163.jpgl Surface Mountl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefit,combined with the fast switching speed and ruggedizeddevice design that HEXFET Power MOSFETs are wellknown for, provides the designer with an extremely efficientand reliable device for use in a wide variety of applications.The SOT-223 package is designed for surface-mountusing vapor phase, infra red, or wa...
