供应硅光电池S-1226-8BQ
| 价 格： | 1.00 |
品牌:SJ（国产） 型号:S-1226-8BQ 种类:光学接收器件 波段范围:近紫外 运转方式:连续式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:透过型外光路 输出形式:光敏器件型 传输信号:高线性型 速度:高速 通道:单通道
S-1228-8BQ硅光伏测量电池
S-1228-8BQ硅光伏测量电池，具有宽广的光谱响应范围、较高的响应灵敏度、良好的线性度、低噪声及暗电流小等特点，能够在（近）紫外—可见光—近红外光谱范围内获得应用。适用于辐射检测系统，激光光功率计、分光光度计、电子分析天平、电子快门、及其它光学仪器和自动控制系统等方面，是一款不可多得的光电传感器。
S-1226-8BQ硅光伏差分测量电池
用途：电子分析天平、液体流量计、等。
参数名称 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 最小值 | 中间值 | 值 |
光谱范围 |
| nm |
| 300 |
| 1000 |
峰值波长 |
| nm |
|
| 850 |
|
开路电压 | Voc | mV | H=100Lx | 330 | 350 | 500 |
暗电流 | Id | nA | Vr=10mV | 0.01 | 1 | 3 |
短路电流 | I | uA | H=100Lx |
| 6.6 |
|
结电容 | cd | pF | Vr=0V,f=1MHz,E=0 |
| 300 |
|
结电容 | cd | pF | Vr=5V,f=1MHz,E=20 |
| 50 |
|
正向压降 | V | IF=50mA,R=250 |
| 0.7 |
| |
反向击穿电压 | V(BR) | V |
|
| 25 |
|
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PSD位置传感器S-01511TBK
信息内容：品牌/商标 SJ（国产) 型号/规格 S-01511TBK 种类 位置 材料 陶瓷 材料物理性质 半导体 材料晶体结构 单晶 制作工艺 集成 输出信号 模拟型 防护等级 1级 线性度 0.1（%F.S.） 迟滞 1（%F.S.） 重复性 100（%F.S.） 灵敏度 100 S-01511TBK硅光伏测量电池 S-01511TBK硅光伏测量电池，具有宽广的光谱响应范围、较高的响应灵敏度、良好的线性度、低噪声及暗电流小等特点，能够在（近）紫外—可见光—近红外光谱范围内获得应用。适用于辐射检测系统，激光光功率计、分光光度计、电子分析天平、电子快门、及其它光学...
大量3DU31硅光敏三极管
信息内容：品牌/商标 SJ 型号/规格 3DU31硅光敏三极管 种类 光学 材料 金属 材料物理性质 半导体 材料晶体结构 单晶 制作工艺 金属封装 输出信号 模拟型 防护等级 1极 线性度 100（%F.S.） 重复性 100（%F.S.）
