供应IXYS功率二极管M0588LC400
| 价 格： | 1.00 |
品牌:进口 型号:M0588LC400 应用范围:整流 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 发光颜色:红色 LED封装:加色散射封装(D) 出光面特征:圆灯 发光强度角分布:高指向性 正向工作电流:1（A） 反向电压:1（V）
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产品简介：
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
作用原理：
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
功能应用：
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
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供应功率模块整流桥IKW40N120T2
信息内容：品牌:品牌:三菱/三社/三垦/富士/东芝/西门子/西门康/摩托罗拉/英达/日立/仙童/英飞凌/国际整流器/EUPEC/IXYS 型号:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、快恢复二级管、肖特基二极管、整流桥、模组、大功率模块。 封装:各类接线、直插封装 批号:2010+ 制作工艺:半导体集成 导电类型:单极型 规格尺寸:200（mm） 工作温度:-40~125（℃） 静态功耗:100（mW） 类型:电源模块我们是亚洲的功率模块半导体供应商，代理经销：三菱(Mitsubishi)，三社(SanRex)，三垦(SanKen)，富士(Fuji)，东芝(Toshiba)，西门子(Siemens)，西门康(Semikron)，摩托罗拉(Motorola)，英达(NIEC)，日立(Hitachi)，仙童(Fairchild)，英飞凌(Infineon)、国际整流器(IR)，EUPEC，IXYS，ABB，PRX，POWER，TYCO 品牌公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、快恢复二级管、肖特基二极管、整流桥、模组、大功率模块；各种进口品牌驱动电路、三菱IPM专用插座、光耦；美国VICOR、日本LAMBDA产AC／DC、DC／DC电源模块等；由于型号繁多，如需订购请来电向销售代表查询！
原装英飞凌二极管BAS16U
信息内容：品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 BAS16U 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 金属封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 纯绿 LED封装 无色散射封装(W) 出光面特征 方形 发光强度角分布 散射型 正向直流电流IF 0.5（A） 反向电压 30（V）
