现货供应 ON安森美 三极管MMBT4401LT1
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品牌:ON安森美 型号:MMBT4401LT1G 应用范围:放大 功率特性:小功率 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 特征频率:250（MHz） 集电极允许电流:0.6（A） 集电极允许耗散功率:0.3（W） 营销方式:库存 产品性质:热销
广州现货,保证原装,请放心购买。D/C:1101
描述
- 晶体管极性:NPN
- 截止频率 ft, 典型值:250MHz
- 功耗, Pd:300mW
- 集电极直流电流:600mA
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功耗:225mW
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:
- 连续电流, Ic:500mA
- 直流电流增益 hFE:250
- 直流电流增益 hfe, 最小值:100
- 表面安装器件:表面安装
- 饱和电压, Vce sat :400mV
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 梁燕芬
- 电话：020-84032481
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特价供应ST瞬态抑制二极管SMBJ15A-TR（现
信息内容：应用范围:瞬变抑制 品牌:ST意法半导体 型号:SMBJ15A-TR 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:中功率 频率特性:低频 发光颜色:N/A LED封装:N/A 出光面特征:N/A 发光强度角分布:标准型 反向电压VR:15（V） 正向直流电流IF:25.1（A）广州现货供应,保证原装,货来自正式代理,请放心购买,D/C:0908。 技术规格:电压, Vrwm:15V击穿电压范围:17.6V钳位电压 :24.4V二极管配置:Unidirectional峰值脉冲电流:25.1A封装形式:SMB针脚数:2SMD标号:BBG二极管类型:TVS, 单向击穿电压 最小:16.7V反向漏电流, :1µA封装类型:SMB截止电压:15V极性, 单向/双向:单向测试电流:1mA漏电流:5µA电容, Cd典型值 @ Vr:1600pF脉冲峰值功率:600W表面安装器件:表面安装钳位电压, 8/20us :32.5V
特价供应ST瞬态抑制二极管1.5KE200A（现货
信息内容：应用范围:瞬变抑制 品牌:ST意法半导体 型号:1.5KE200A 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:中功率 频率特性:中频 发光颜色:N/A LED封装:N/A 出光面特征:N/A 发光强度角分布:N/A 反向电压VR:200（V） 正向直流电流IF:详见资料（A）广州现货,保证原装，货来自正式代理。请放心购买。 D/C:0951 封装：DO-201。最少包装：600/盒。 描述电压, Vrwm:171V击穿电压范围:190V 到 210V钳位电压 :274V二极管配置:单向峰值脉冲电流:51A封装形式:DO-201针脚数:2功耗:5WSVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)JEDEC号码:1N6284CA主体直径:5.3mm二极管类型:TVS, 单向击穿电压 最小:190V反向漏电流, :1µA反向电流, Ir @ Vbr测量:1mA反向电流, Ir 值:1µA外部长度/高度:9.5mm封装类型:DO-201峰值脉冲电流 IPP @ 10/1000µS:5.5A引线直径:1.06mm总功率, Ptot:5W截止电压:171V击穿电压:210V极性, 单向/双向:无方向性温度系数:10.8ppm/°C温度系数, +:10.8ppm/°C满功率温度:75°C电压 Vbr:200V电压, Vrrm:171V电容, Cd典型值 @ Vr:675pF电流, Ifs :200A电流, Itsm:200A脉冲峰值功率:1500W表面安装器件:轴向引线
