MBR20100 肖特基二极管
| 价 格： | 1260.00 |
品牌:ON安森美 型号:MBR20100 应用范围:肖特基 结构:肖特基 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 功率特性:中功率 频率特性:高频 发光颜色:== 正向工作电流:20（A） 反向电压:100（V）
公司大量销售电动车用MOS管 ST意法半导体 IR国际整流器 NEC日电 MOS管 肖特基 快恢复管。欢迎咨询
FQP8N60C TO220 功率场效应管
STP60NF06 TO220 功率场效应管
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2SK4145 TO220 功率场效应管
- 所属城市：天津 天津市
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IRFP460PBF 场效应管
信息内容：品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP460PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D-G双栅四极 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:500（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:==（μS） 极间电容:==（pF） 低频噪声系数:==（dB） 漏极电流:20（mA） 耗散功率:200（mW）长期现货供应： IRF1010E IRF530PBF IRF830PBF IRFZ44NPBF IRFP450PBF IRF3205PBF IRF540PBF IRF840PBF IRFP150PBF IRFP460PBF IRF3710PBF IRF640PBF IRF9540PBF IRFP250PBF IRF4905PBF IRF3507PBF IRF740PBF IRF9640PBF IRFP350PBF IRF1404PBF ……………………………………….等IR全系列电子元器件
IRFP260 场效应管
信息内容：品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP260 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:250（V） 夹断电压:250（V） 低频跨导:==（μS） 极间电容:=（pF） 低频噪声系数:=（dB） 漏极电流:=（mA） 耗散功率:200（mW）长期现货供应： IRF1010E IRF530PBF IRF830PBF IRFZ44NPBF IRFP450PBF IRF3205PBF IRF540PBF IRF840PBF IRFP150PBF IRFP460PBF IRF3710PBF IRF640PBF IRF9540PBF IRFP250PBF IRF4905PBF IRF3507PBF IRF740PBF IRF9640PBF IRFP350PBF IRF1404PBF ……………………………………….等IR全系列电子元器件
