价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBFJ310 | |
品牌/商标: | FSC/FAIRCHILD | |
封装形式: | SOT23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 高频 | |
极性: | NPN型 |
产品相片 | SOT-23 |
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产品变化通告 | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
产品目录绘图 | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | RF FET |
系列 | - |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
频率 | - |
增益 | - |
电压 - 测试 | - |
额定电流 | 60mA |
噪音数据 | - |
电流 - 测试 | - |
功率 - 输出 | - |
额定电压 | 25V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MMBFJ310LT1GOS MMBFJ310LT1GOS-ND MMBFJ310LT1GOSTR |
产品相片 SOT-23 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007 产品目录绘图 Transistor SOT-23-3 Package 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V 漏极至源极电压(Vdss) - 漏极电流 (Id) - - FET 型 N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 300mV @ 10nA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) - 电阻 - RDS(开) - 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236) 功率 - 350mW 产品目录页面 1602 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 MMBFJ201-NDMMBFJ201TR
制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: Digital Transistors / Resistor Biased RoHS: dzsc/18/2212/18221287.gif 详细信息 配置: Dual 晶体管极性: NPN/PNP 典型输入电阻器: 10 KOhms 典型电阻器比率: 1 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SC-74-6 集电极连续电流: 50 mA 峰值直流集电极电流: 100 mA 功率耗散: 300 mW 工作温度: + 150 C 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 3000