价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBF4392 | |
品牌/商标: | ON 安森美 | |
封装形式: | SOT23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 高频 | |
极性: | NPN型 |
产品相片 | SOT-23 |
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产品目录绘图 | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | JFET(结点场效应 |
系列 | - |
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25mA @ 15V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
漏极电流 (Id) - | - |
FET 型 | N 沟道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id | 2V @ 10nA |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
电阻 - RDS(开) | 60 欧姆 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷 (TR) |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 |
功率 - | 225mW |
产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MMBF4392LT1GOS MMBF4392LT1GOS-ND MMBF4392LT1GOSTR |
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产品相片 SOT-23 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss) 25V 漏极电流 (Id) - - FET 型 N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 25V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 1V @ 1µA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5pF @ 10V 电阻 - RDS(开) 50 欧姆 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 TO-236AB 功率 - 250mW 其它名称 568-6484-2934008990215PMBFJ309 T/RPMBFJ309 T/R-NDPMBFJ309,215-ND