品牌 | ST意法半导体 | 型号 | LV7806CV |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 220(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 15000(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌 IR美国国际整流器公司 型号 IRFL4105 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 12(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 2000(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 20000000000(mA) 耗散功率 2222222(mW)
品牌 IR美国国际整流器公司 型号 IRFBC30 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 120(V) 夹断电压 12(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 200000(mA) 耗散功率 200000(mW)