供应肖特基二极管 SR3150
| 价 格： | 42.00 |
应用范围:肖特基 品牌:PSI 型号:SR3150 结构:肖特基 材料:硅 封装形式:DO-27 封装材料:塑料封装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 反向工作电压:150（V） 正向工作电流:3A（mA）
肖特基势垒二极管 简称 SBD
是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
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供应高压二极管2CL3512H/2CL4512H
信息内容：应用范围:整流桥、高压硅 品牌:其它 型号:2CL3512H/2CL4512H 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:大功率 反向工作电压:12KV（V） 正向工作电流:350mA/450mA（mA）微波爐及其他電子設備高壓電源整流用 医疗设备，X光放射机高可靠性
肖特基二极管 SR5150
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 PSI 型号/规格 SR5150 结构 点接触型 材料 硅 封装形式 DO-27 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 反向电压VR 150（V） 正向直流电流IF 5A（mA） 肖特基二极管原理:肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消...
