价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SST202 | |
品牌/商标: | VISHAY | |
封装形式: | SOT23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 高频 | |
极性: | NPN型 |
深圳市森宇祥电子有限公司
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深圳市森宇祥电子有限公司 本公司大量现货库存,优势100%原装,大热卖中......欢迎新老客户来电咨询! 产品相片 SOT-23 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss) 25V 漏极电流 (Id) - 10mA FET 型 N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) - 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 2.5V @ 0.5nA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4pF @ 10V 电阻 - RDS(开) - 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 TO-236AB 功率 - 250mW
深圳市森宇祥电子有限公司 本公司大量现货库存,优势100%原装,大热卖中......欢迎新老客户来电咨询! 产品相片 SOT-23 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V 漏极至源极电压(Vdss) - 漏极电流 (Id) - - FET 型 P 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 750mV @ 1µA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 7pF @ 15V 电阻 - RDS(开) - 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236) 功率 - 225mW