| 价 格: | 0.80 | |
| 型号/规格: | PMBF4392 | |
| 品牌/商标: | NXP | |
| 封装形式: | SOT23 | |
| 环保类别: | 无铅环保型 | |
| 安装方式: | 贴片式 | |
| 包装方式: | 卷带编带包装 | |
| 功率特性: | 大功率 | |
| 频率特性: | 高频 | |
| 极性: | NPN型 |
深圳市森宇祥电子有限公司 0755-83955962
| 产品相片 | SOT-23 |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | JFET(结点场效应 |
| 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 20V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏极电流 (Id) - | - |
| FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
| 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id | 5V @ 1nA |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 电阻 - RDS(开) | 100 欧姆 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 功率 - | 250mW |
深圳市森宇祥电子有限公司 0755-83955962 产品相片 SOT-23 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V 漏极至源极电压(Vdss) 40V 漏极电流 (Id) - - FET 型 N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 5V @ 1nA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 14pF @ 20V 电阻 - RDS(开) 100 欧姆 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 TO-236AB 功率 - 250mW
深圳市森宇祥电子有限公司 本公司长期现货库存,原装! 欢迎来电咨询! 产品相片 SOT-23 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 JFET(结点场效应 系列 - 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V 漏极至源极电压(Vdss) - 漏极电流 (Id) - - FET 型 P 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 750mV @ 1µA 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 7pF @ 15V 电阻 - RDS(开) - 安装类型 表面贴装 包装 带卷 (TR) 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236) 功率 - 225mW