品牌:IR 型号:IRFZ44NPBF(无铅IRFZ44) 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:~(V) 夹断电压:~(V) 低频跨导:~(μS) 极间电容:~(pF) 低频噪声系数:~(dB) 漏极电流:~(mA) 耗散功率:~(mW)
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds :55V
- 开态电阻, Rds(on):0.024ohm
- 功耗:83W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC
- 功率, Pd:83W
- 器件标记:IRFZ44NPBF
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:41A
- 电流, Idm 脉冲:160A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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