绝缘导热性能优异的氮化铝陶瓷基板（aln）
| 价 格： | 720.00 |
品牌:海古德 型号:aln170 批号:aln 封装:SMD 营销方式:厂家直销 产品性质:新品 处理信号:数字信号 制作工艺:膜集成 集成程度:大规模 规格尺寸:100（mm） 工作温度:2000（℃）
北京海古德新技术有限公司成立于2008年11月，坐落于北京中关村科技园金桥科技产业基地。公司是一家具有自主知识产权的现代化高新技术生产企业，致力于新型电子陶瓷材料及其元器件的生产和研发。核心产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是国家鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过国家创新基金的支持，为国家火炬计划重点项目。氮化铝（AlN）陶瓷基片具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介质损耗，是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。
氮化铝陶瓷基板作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。
- 流延法氮化铝陶瓷基片Tape Casting
- 干压法氮化铝陶瓷基板Dry-pressed
- 注射法氮化铝陶瓷元件Injection Molding
性能内容 | 性能指标 |
体积密度 (g/cm3) | 3.29 |
吸水率 (%) | 0 |
热导率[20℃] (W/m·k) | ≥170 |
线膨胀系数[RT-400℃] (10-6/℃) | 4.4 |
抗弯强度 (Mpa) | >330 |
体积电阻率 (Ω·cm) | ≥1014 |
介电常数 [1MHz] | ~9 |
介质损耗 [1MHz] | ~4×10-4 |
抗电强度 (KV/mm) | ≥15.00 |
表面粗糙度Ra (μm) | 0.2~0.5 |
翘曲度 (~/25.4(长度)) | 0.02~0.05 |
外观 | 致密、细晶 |
- 所属城市：北京 北京市
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- 联系人： 肖福康
- 电话：10-59771586
- 传真：10-59771586
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供应导热绝缘低介电常数的氮化铝陶瓷基板
信息内容：特性:片陶瓷 功能:绝缘装置陶瓷 规格尺寸:100*100（mm）氮化铝陶瓷基板作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。高导热率低介电常数低热膨胀系数高机械强度高耐腐蚀性 性能内容性能指标体积密度 (g/cm3)3.29吸水率 (%)0热导率[20℃] (W/m·k)≥170线膨胀系数[RT-400℃] (10-6/℃)4.4抗弯强度 (Mpa)>330体积电阻率 (Ω·cm)≥1014介电常数 [1MHz]~9介质损耗 [1MHz]~4×10-4抗电强度 (KV/mm)≥15.00表面粗糙度Ra (μm)0.2~0.5翘曲度 (~/25.4(长度))0.02~0.05外观致密、细晶
供应氮化铝陶瓷基板（LED,RF）
信息内容：特性:高频绝缘陶瓷 功能:绝缘装置陶瓷 微观结构:多晶 规格尺寸:2-150（mm）氮化铝陶瓷基板(ALN,Aluminum Nitride Substrate)作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求绝缘又高散热的大功率器件上。北京海古德新技术有限公司成立于2008年11月，坐落于北京中关村科技园金桥科技产业基地。公司是一家具有自主知识产权的现代化高新技术生产企业，致力于新型电子陶瓷材料及其元器件的生产和研发。核心产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是国家鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过国家创新基金的支持，为国家火炬计划重点项目。
