供应ST, BTA41-600B,双向可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BTA41-600B | |
| 品牌/商标： | ST |
供应ST三端双向可控制 BTA41-600B价格优！
三端双向可控硅
型号:BTA41-600B(BTA41600B)
电压, Vdrm:600V
电流, It 有效值:40A
栅极触发电流, Igt, (Q1), t2+g+:50mA
电流, Itsm (50Hz):400A
电流, Itsm (60Hz):420A
封装类型:TOP-3
表面安装器件:通孔安装
电压, Vgt:1.5V
电流, Itsm:300A
器件标记:BTA41-600B
电压, Vrrm:600V
电流, Igt:50mA
电流, t2+g-:50mA
电流, t2-g+:100mA
电流, t2-g-:50mA
针脚数:3
灵敏度BTA41-600B双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，在图1所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区别的，其中(a)触发灵敏度，(b)触发灵敏度，为了保证触发同时又要尽量限制门极电流，应选择(c)或(d)的触发方式BTA41600B。
控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免 BTA41-600B可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率极大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须电压为止，在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。
可控硅过载的保护 可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压，BTA41-600B否则控制极将不起作用；(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按电流的1.5～2倍来取；(3)为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，BTA41-600B作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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供应 继电器 V23079-C1101-B301
信息内容：品牌 AXICOM 型号 V23079 封装 继电器 批号 2010+PB 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 5.2（mm） 工作温度 -40~85（℃） 静态功耗 1（mW） 类型 其他IC 我公司代理经销进口(tyco)泰科继电器，及(tyco泰科)旗下(SCHRACK)(P&B)(OEG)(AXICOM)继电器,进口意大利(finder)芬德继电器,香港(AIKS)爱克斯继电器，种类有（信号继电器，功率继电器，汽车继电器，安全继电器，中间继电器，固态继电器，电磁继电器,时间继电器,大功率继电器,小型继电器）本公司以上产品有大量库存现货供应、及个别产品可订货真诚欢迎你的来电洽谈、、、、、
供应场效应管，FDV301N,
信息内容：FDV301N 数字场效应管，N沟道 一般描述特征 电讯局长的额定值= 25℃除非另有说 符号参数FDV301N单位 VDSS，VCC的漏源电压，电源电压25伏特 VGSS，六门源电压VIN的8伏特 身份证，印务局漏/输出电流 - 连续0.22甲 0.5 PD的功耗为0.35 W TJ和TSTG操作和存放温度范围-55到150 ° C 静电放电的ESD额定值的MIL - STD - 883D 人体模型（100pF电容/ 1500欧姆） 6.0千伏 热特性 RqJA热阻，结到环境的357 ° C间/ W型 FDV301N Rev.F 25伏特，0.22一个连续的，0.5一个高峰。 的RDS（ON）= 5瓦@的VGS = 2.7V时 的RDS（ON）= 4瓦@的VGS = 4.5五 非常低的水平栅极驱动要求可直接 在3V操作电路。的VGS（TH）的<1.5V的。 栅源齐纳二极管的ESD坚固性。 6kV Human Body Model" onmouseout="this.style.backgroundColor='#fff'">> 6kV的人体模型 取代多个npn的数字与一的DMOS晶体管 场效应管。 这n -通道逻辑水平的提高场效 晶体管的生产采用飞兆半导体专有的，高细胞 密度DMOS技术。这个过程是非常高的密度 特别是针对减少通态电阻。这 设备已专门为低电压 应用作为数字晶体管的替代品。由于 偏置电阻器不是必需的，这一个N沟道FET可 更换几个不同的数字晶体管，具有不同的偏见 电阻值...
