品牌:国产 型号:104/63V 介质材料:有机薄膜 应用范围:耦合 外形:方块状 功率特性:中功率 频率特性:低频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:400(V) 标称容量:0.001~2.2UF 损耗:≦1.0% 额定电压:50VDC,63VDC,100VDC,250VDC,400VDC(V)
1.可靠性高
2.塑料外壳封装.外观一致性好
耦合滤波、整流和计时
电路中、在远程通讯、
数据处理、工业仪表和
自动控制系统的设备中
一般技术特性
介质:聚脂膜
导电金属:铝层采用真空蒸镀在膜上
卷绕方式:无感应型
导线:镀金属铜包钢线
保护材料:
塑胶外壳、环氧树脂灌注,
两者皆为防火阻燃材料 UL 94 VO,
印字:容量,误差,D.C额定电压
工作温度范围:-55 to +logic
电气特性
额定电压(Vr):63Vdc-1OOVdc~250Vdc
容量范围:1000pF to 1,0 p F
容量值:E6 series(IEC 63 Norm)
容量误差(测量基础 1 kHz)
±5%(J); ±10%(K); ±20%(M),
损耗因素(DF):
|
绝缘阻抗:两引脚间
测试条件:
温度:+25±5℃
充电时间: 1min
|
耐电压:1.6Vr(2SEC)
测试方法及性能
测试条件
温度:+40±2℃
相对湿度:93%±2%
测试时间:21days
测试状况
容量变化(△C/C): ≤±5%
DF变化(△DF): ≤±5% atl 1 KHz
绝缘抗阻: ≥50% 测试前
耐久测试:
测试条件
温度:+85℃±2℃
测试时间:100Oh
充电电压:1,25xVr
测试状况
容量变化(△C/C):≤5%
DF 变化(△DF):0.3% at 10KHz
绝缘抗阻: ≥50% 测试前
焊接耐热性:
测试条件
焊接温度:+260±5℃
浸泡时间:5s±1s
测试状况
容量变化(△C/C):≤2%
外观:没有异常.
品牌:NS 型号:473J400V 介质材料:有机薄膜 应用范围:耦合 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±5(%) 耐压值:400(V) 标称容量:0.047uF 损耗:0.0006 额定电压:400(V)引用标准 GB 7332(IEC 60384-2)气候类别 55/100/21额定温度 85℃工作温度范围 -55℃~105℃(+85℃ to + 105℃:decreasing factor 1.25% per ℃ for VR(DC))额定电压 50/63/100、250V、400V、630V电容量范围 0.010μF~10.0μF电容量偏差 ±5%(J),±10%(K)耐电压 1.6UR(5s) 损耗角正切 ≤1.0%(20℃,1kHz) 绝缘电阻 UR≤100V ≥15 000MΩ,CR≤0.33μF;≥5 000s,CR>0.33μF (20℃,10V,1min)UR>100V ≥30 000MΩ, CR≤0.33μF;≥10 000s, CR>0.33μF(20℃,100V,1m 为无感结构,用金属化聚酯薄膜作为电介质/电极绕制而成,导线采用镀镀锡铜包钢线,使用环氧树脂包树。容量范围宽,自愈性好,寿命长适用于直流和VHF级信号的隔直流、旁路和耦合
品牌:国产 型号:224K275VAC,474K275VAC,684K275VAC 介质材料:有机薄膜 应用范围:滤波 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±10(%) 耐压值:2500(V) 标称容量:01~3(uF) 损耗:小于或等于0.1% 额定电压:250VAC,275VAC(V)自我恢复特性适用场合:抗干扰跨接线路中一般技术资料介质:聚丙烯膜导电金属:铝层采用真空镀在膜上卷绕方式:无感应式.导线:Tinned wire.保护材料:塑胶外壳,环氧树脂灌注.盒式材料和环氧树脂是阻燃防火材料UL 94V-0印字:生产商logo,序列号,容量,误差, 相关文挡:lEC384-14 2nd Edition 1993工作温度范围:-40 to +100oC电气特性额定电压(Vr):275Vac;50/60Hz容量变化:4700pFto 1.0 p f容量值:E12series(IEC 63 Norm).容量误差(测量于 1 kHz)±5%(J); ±10%(K); ±20% (M).损耗因素(DF):≤0.3% at 10KHZ/20oC耐电压:Applied 1,200 Vac for 60 sec or 2,100 Vdc for 1 sec认证号绝缘抗阻:测试条件温度:20±5oC充电时间:l min充电电压: 100Vdc性能≥3 x 104m Ωfor C≤0.33μF≥1×104mΩfor C≤0.33 μF测试方法及性能测试条件温度:40&p...