种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | VHF/甚高频 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | .(V) | 夹断电压 | .(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | .(mW) |
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 ..(V) 低频跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA)