供应单相/三相整流桥模块MDQ100(图)
| 价 格： | 0.80 |
品牌:SEMIMICRO 型号:MDQ100 应用范围:电机 整流元件:可控硅/晶闸管 功率特性:大功率 频率特性:中频 正向峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电流:10mA（mA） 工作结温:150（℃）
二、特点：1、全扩散工艺 2、平板型陶瓷管壳封装 3、中心放大门极结构 4、双面冷却 5、大电流
三、典型应用：1、大功率变流器 2、交直流电机控制 3、交直流开关 4、相控整流 5、有源和无源逆变
三、说明：1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。
2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s)
3、当使用在电流为60HZ情况下：
ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm
I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm
4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻
5、门极引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色
- 所属城市：浙江 温州
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- 联系人： 李剑峰
- 电话：577-62765526
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供应单相/三相整流桥模块MDS200(图)
信息内容：品牌:SEMIMICRO 型号:MDS200 应用范围:电机 整流元件:可控硅/晶闸管 功率特性:大功率 频率特性:中频 正向峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电流:15mA（mA） 工作结温:150（℃）二、特点：1、全扩散工艺 2、平板型陶瓷管壳封装 3、中心放大门极结构 4、双面冷却 5、大电流三、典型应用：1、大功率变流器 2、交直流电机控制 3、交直流开关 4、相控整流 5、有源和无源逆变三、说明：1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。 2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s) 3、当使用在电流为60HZ情况下： ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm 4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻 5、门极引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色
供应单相/三相整流桥模块MDS175(图)
信息内容：品牌:SEMIMICRO 型号:MDS175 应用范围:电机 整流元件:可控硅/晶闸管 功率特性:大功率 频率特性:中频 正向峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电压:600-1600V（V） 反向重复峰值电流:12mA（mA） 工作结温:150（℃）二、特点：1、全扩散工艺 2、平板型陶瓷管壳封装 3、中心放大门极结构 4、双面冷却 5、大电流三、典型应用：1、大功率变流器 2、交直流电机控制 3、交直流开关 4、相控整流 5、有源和无源逆变三、说明：1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。 2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s) 3、当使用在电流为60HZ情况下： ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm 4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻 5、门极引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色
