品牌:国产 型号:2SC5196/2SA1939 应用范围:功率 频率特性:低频 极性:NPN/PNP 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 集电极允许电流:6(A) 集电极允许耗散功率:60(W) 营销方式:厂家直销 产品性质:热销
型号:2SC5196
NPN硅大功率晶体管
封装形式:TO-3PN
电特性:
极限值(除非另有规定Tamb=25℃)
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | 80 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | 80 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | 5 | V |
集电极电流 | IC | 6 | A |
基极电流 | IB | 0.6 | A |
耗散功率 | Pc | 60 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数(除非另有规定Tamb=25℃)
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | |||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | VCB=80V, IE=0 | — | — | 5.0 | uA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | VEB=5V,IC=0 | — | — | 5.0 | uA |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC=50mA, IB=0A | 80 | — | — | V |
直流电流增益 | hFE1 | Vce=5V Ic=1A | 55 | — | 160 |
|
hFE2 | Vce=5V Ic=3A | 35 | 75 | — | ||
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=5A, IB=0.5A | — | 0.45 | 2.0 | V |
基极-发射极饱和电压 | VBE | VCE=5V, IC=3A | — | 0.92 | 1.5 | V |
特征频率 | fT | Vce=5V,Ic=1A | — | 30 | — | MHz |
a:脉冲测试 |
杭州富阳奥星电子有限公司生产三极管(大功率)、场效应管、开关三极管、功放对管、超声波用晶体管等一系列功率分立器件。
三极管:2SC3320 2SC5200 2SC3998 2SC4237 2SC2922 3DD5686 3DF50C 2SC2625 2SC3058 2SC3858 2SC5196
场效应管:6N60 60N06 IRF640 IRF634 10N60 IRFP460 IRF540N 50N06 IRFZ44N 8N60 IRFPE50 32N50
超声波用晶体管:BUX48A BUS14A BU508A BUX98A BU208A
功放对管:2SC5200/2SA1943 3DD5686/3CD5684 2SC3858/2SA1494 2SC5196/2SA1939 2SB817/2SD1047 各种功放对管都可根据要求提供筛选配对,芯片采用进口管芯,质量可靠,可以根据客户要求订做特殊参数产品
开关三极管:13005 13007 13009
品牌:OC 型号:2SC3858/2SA1494 类别:直插 结构:平面型 封装形式:MT-200 材料:硅 极性:PNP/NPN 电流容量:大功率 封装材料:塑料封装 应用范围:高反压大功率功放对管2SC3858大功率功放对管2SC3858/2SA1494/2SA1494
品牌:奥星型号:IRFP460种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道 产品名称产品型号电压(V)电流(A)功率(W)封装场效应管IRFP46050020250TO-247 我公司是生产大功率三极管(3DD系列、2SA、2SC、MJ)、场效应管、超声波用晶体管(BU系列)、开关三极管、快恢复二极管等元器件的。大功率三极管:3DD5686 3DF50C 3DF50G 2SC5200 2SA1943 2SC1142 2SC1435 3DF100 2SC3990 ……场效应管:IRF640 IRF630 IRF740 IRF840 IRF3205 IRFZ44 IRFZ48 6N60 4N60 7N60 60N06 50N06……功放对管:2SA1302/2SC3281 2SA1494/2SC3858 2SA1941/2SC5198 2SA1943/2SC5200 2SB778/2SD998…开关三极管:13007 13005 13009 2SC3320……超声波用晶体管:BUX48A BU508A BUS14A BUS13A BUV48A BUX98A……