品牌:INFINEON 型号:SPA11N60C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:550(V) 低频跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1(mA) 耗散功率:125(mW)
本公司现备有大量的SPA11N60C3现货,原装环保,价格实惠,欢迎新老客户来电咨询和订购。
品牌:IR 型号:IRFR024 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:100(V) 夹断电压:80(V) 低频跨导:15(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:65(dB) 漏极电流:85(mA) 耗散功率:125(mW)本公司现备有大量的IRFR024现货库存,原装环保价格实惠,欢迎新老客户来电咨询和订购。