品牌:MicroChip 型号:f 应用范围:整流桥、高压硅 结构:点接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 发光颜色:红色 LED封装:加色散射封装(D) 出光面特征:圆形 发光强度角分布:高指向性 正向工作电流:200(A) 反向电压:3(V)
405nm蓝紫光激光二极管200MWdzsc/17/5227/17522750.jpg
品牌:Mitsubishi三菱 型号:地 应用范围:整流桥、高压硅 结构:点接触型 材料:砷铝化镓(GaAlAs) 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装 功率特性:大功率 频率特性:高频 发光颜色:负阻 LED封装:加色散射封装(D) 出光面特征:圆形 发光强度角分布:高指向性 正向工作电流:200(A) 反向电压:5(V)dzsc/17/5227/17522751.jpg405nm Blue Laser DiodeApplication:IndicatorPointerScanningMedical photography Characteristic:Visible light: 405±10nmSingle Modehigh temperature operation 50high reliability for 5000h life time
品牌:SONY 型号:S 种类:波分复用器 波段范围:远红外 运转方式:连续式 激励方式:光泵式 工作物质:固体 光路径:透过型外光路 输出形式:光敏器件型 传输信号:OC门型 速度:低速 通道:单通道 输出波长:532(nm) 线宽:650(mm)蓝紫光激光二极管, 可用于激光笔及各领域的应用.波长:405nm功率: 20-120mW.405nm紫光激光二极管激光器工作介质 半导体激光器激励方式 化学激光器运转方式 连续激光器输出波段范围 近紫外激光器工作电压 5(V)输出波长 405(nm)品牌 SANYO 405nm(20mw-250mw),应用于医疗器械, 光通讯等领域