型号:BT138-1000E(12A,1000V) 电流:12(A) 电压:≥1000(V) 触发电流:110(A) 结温:<10 mA(℃) 封装形式:TO-220AB(220半塑封) 控制方式:双向
?产品类别:12A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 |
?工业型号:BT138-1000E(特制高压品种) |
?封装形式:TO-220AB(220半塑封) |
?电流/IT(RMS):≥12 A |
?电压/VDRM:≥1000V |
?触发电流/IGT: |
IGTⅠ(T2+G+):2.5~10 mA(象限) |
IGTⅡ(T2+G-):4.0~10 mA(第二象限) |
IGTⅢ(T2-G-):5.0~10 mA(第三象限) |
IGTⅣ(T2-G+):11~25 mA(第四象限) |
?触发电压/VGT:0.7~1.5V |
?门极散耗功率:0.1W |
?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
?器件品牌:KKG |
?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K |
?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应) |
型号:BTB04-600S 电流:4(A) 电压:600TO-220AB(V) 触发电流:10 m(A) 结温:125(℃) 封装形式:TO-220AB 控制方式:双向?产品类别:4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTB04-600S?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥4 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):≤10 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):≤10 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤10 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤10 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:<1.5V ?门极散耗功率:1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:管装, 每管50pcs, 每盒1Kpcs 一盒/1K起出货,原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况:接受订货
品牌:浩海 型号:MCR100-6 封装材料:塑料封装 控制方式:单向 极数:三极 额定正向平均电流:0.8(A) 正向重复峰值电压:大于400(V) 控制极触发电流:10-60uA(mA) 营销方式:现货?产品类别:0.8A贴片单向可控硅-SCRs?工业型号:MCR100-6(摩托罗拉/安森美型号)?封装外形:SOT-23 (SMD Package:SOT-23)?管脚排列:K-G-A(K-Cathode;G-Gate;A-Anode)?电流/IT(RMS):0.8 A?电压/VDRM:≥400 V?触发电流/IGT:(中间值~值) (微安) 40~200 ?A ( 触发电流分段可选 )?触发电压/VGT:0.62~0.8 V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃)?器件品牌:KKG(HAOHAI ELECTRONICS)?包装规格:卷带卷盘包装,每卷3K,每盒4卷?供应状况:大量现货供应。