供应STB25NM60N-1 ST高压场效应管
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品牌:ST 型号:STB25NM60N-1 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:125（mW）
宗强电子科技销售MOS管，有大量现货库存欢迎新老客户来电订购。
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