品牌:晶新 型号:BAT54 应用范围:肖特基 结构:肖特基 材料:硅 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装
BAT54
肖特基二极管芯片(4")
用途:高速开关应用、电路保护、电压箝位
特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数57500只
芯片尺寸 | 350µm×350µm |
压焊区尺寸 | 150µm×150µm |
芯片厚度 | 180±20µm |
锯片槽宽度 | 50µm |
序号NO | 产品型号 | PC(mW) | VR(V) | IR (μA) | VF(V) | 结电容(PF) | 芯片尺寸(mm×mm) | 典型封装外形 | trr(ns) | |||||||||
5 V | 10 V | 20 V | 30 V | 40V | 50 V | 1mA | 40mA | 100 mA | 1A | 3A | ||||||||
7 | BAT54 | 250 | 30 | 2 | 0.3 | 1.0 | 100 | 0.35×0.35 | SOT-23 | 5 |
电特性(Ta=25℃) | ||||||
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型值 | 单位 | |
正向压降 | VF1 | IF=0.1mA | 0.23 | 0.18 | V | |
VF2 | IF=1mA | 0.3 | 0.25 | V | ||
VF3 | IF=10mA | 0.4 | 0.36 | V | ||
VF4 | IF=30mA | 0.5 | 0.44 | V | ||
VF5 | IF=100mA | 1 | 0.7 | V | ||
反向击穿电压 | VR | IR=100µA | 30 | 40 | V | |
反向漏电流 | IR | VR=25V | 2 | µA | ||
结电容 | Cj | VR=1V,f=1MHZ | 10 | PF | ||
反向恢复时间 | trr | IF=IR=10mA,RL=100Ω,IRR=0.11R | 5 | ns |
公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。
品牌:晶新 型号:1SS187L 应用范围:开关 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装1SS187L硅外延平面二极管芯片(4")用途:用作高压、高速开关应用特征:低正向压降、较小的总电容、较短的反向恢复时间、用于片式封装、有效图形数78900只序号NO产品型号PC(mW)Im(mA)VR(V)IR (nA)VF(V)总电容(PF)芯片尺寸(mm×mm)典型封装外形trr(ns)20 V70 V75 V125V180 V10mA100mA150mA200mA51SS187L250 9025 1000 1.01.2 3.00.3×0.3SOT-234.0公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。
品牌:晶新 型号:1SS187 应用范围:开关 结构:平面型 材料:硅 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装1SS187硅外延平面二极管芯片(4")用途:用于高压、高速开关应用特征:低正向压降、较小的总电容、较短的反向恢复时间、用于片式封装、有效图形数90550只序号NO产品型号PC(mW)Im(mA)VR(V)IR (nA)VF(V)总电容(PF)芯片尺寸(mm×mm)典型封装外形trr(ns)20 V70 V75 V125V180 V10mA100mA150mA200mA31SS187250 8025 1000 1.01.2 3.00.28×0.28SOT-234.0公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。