供应全新原装ST场效应管STC5NF20V
| 价 格： | 面议 |
品牌:SGS法意电子 型号:STC5NF20V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:锂电保护板 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:--（V） 夹断电压:--（V） 低频跨导:--（μS） 极间电容:--（pF） 低频噪声系数:--（dB） 漏极电流:--（mA） 耗散功率:--（mW）
封装型号：TSSOP-8
包装形式：编带盘装
最小包装量：4000PCS
产品性能参数特性及应用：
dzsc/17/5044/17504472.jpg
dzsc/17/5044/17504472.jpg
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 任懿燕
- 电话：0755-26099161
- 传真：0755-26099161
- 手机：
- QQ ：
代理 长年供应 场效应管 FTD2017图)(图)
信息内容：品牌：MEILA型号：FTD2017A种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：S/开关封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：0.7（V） 夹断电压：20（V） 跨导：29000000（μS） 极间电容：1160（pF） 低频噪声系数：-10（dB） 漏极电流：7000（mA） 耗散功率：1500（mW） 这是一颗三洋FTD2017的替代品，主要应用于单双节的锂电池保护板，初EAS外所有参数与FTD2017一样。
全新原厂场效应管SSF7510 替代AOS AOT430
信息内容：品牌：苏州硅能型号：SSF7510种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：SW-REG/开关电源封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：--（V） 夹断电压：--（V） 极间电容：--（pF） 低频噪声系数：--（dB） 漏极电流：--（mA） 耗散功率：--（mW） 供应苏州硅能 SSF7510 TO-220 可替代STP75NF75及AO430等封装型号：TO-220包装形式：管装最小包装量：1000PCS产品规格参数及应用：
