品牌:NEC 型号:2SC4226-T1 应用范围:放大 功率特性:小功率 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 特征频率:1(MHz) 集电极允许电流:2(A) 集电极允许耗散功率:3(W) 营销方式:代理 产品性质:热销
原装
品牌:NEC 型号:2SC3356 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:12(V) 夹断电压:3(V) 低频跨导:1.2(μS) 极间电容:2(pF) 低频噪声系数:1.2(dB) 漏极电流:100(mA) 耗散功率:150(mW)原装09+ROHS
品牌:NEC 型号:2SC4226 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:MES金属半导体 开启电压:12(V) 夹断电压:20(V) 低频跨导:2(μS) 极间电容:1.2(pF) 低频噪声系数:1.0(dB) 漏极电流:100(mA) 耗散功率:150(mW)原装09+ROHS