供应松下可调电容 电阻 电位器51K
| 价 格： | 8500.00 |
品牌:松下 型号:51K 种类:贴片式 材料:金属膜 性能:微调 阻值调节方式:旋转式 阻值变化方式:指数式 标称阻值:3*3 51K
3*3系列可调阻值代码
代码
| 阻值
| 代码
| 阻值
| 代码
| 阻值
|
EVM3YSX50B12
| 100Ω
| EVM3YSX50B33
| 3K
| EVM3YSX50BS4
| 68K
|
EVM3YSX50BC2
| 150Ω
| EVM3YSX50BY3
| 3.3K
| EVM3YSX50B15
| 100K
|
EVM3YSX50B22
| 200Ω
| EVM3YSX50BQ3
| 4.7K
| EVM3YSX50BC5
| 150K
|
EVM3YSX50BE2
| 220Ω
| EVM3YSX50B53
| 5K
| EVM3YSX50B25
| 200K
|
EVM3YSX50B32
| 300Ω
| EVM3YSX50BS3
| 6.8K
| EVM3YSX50BE5
| 220K
|
EVM3YSX50BY2
| 330Ω
| EVM3YSX50B14
| 10K
| EVM3YSX50B35
| 300K
|
EVM3YSX50BQ2
| 470Ω
| EVM3YSX50BC4
| 15K
| EVM3YSX50BY5
| 330K
|
EVM3YSX50B52
| 500Ω
| EVM3YSX50B24
| 20K
| EVM3YSX50BQ5
| 470K
|
EVM3YSX50BS2
| 680Ω
| EVM3YSX50BE4
| 22K
| EVM3YSX50B55
| 500K
|
EVM3YSX50B13
| 1K
| EVM3YSX50B34
| 30K
| EVM3YSX50BS5
| 680K
|
EVM3YSX50BC3
| 1.5K
| EVM3YSX50BY4
| 33K
| EVM3YSX50B16
| 1M
|
EVM3YSX50B23
| 2K
| EVM3YSX50BQ4
| 47K
|
|
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EVM3YSX50BE3
| 2.2K
| EVM3YSX50B54
| 50K
|
|
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： SMD:庄小姐/DIP:刘先生
- 电话：0755-83687406/23815516/33060852
- 传真：0755-33060852
- 手机：13590477742
- QQ ：
供应CL21 CBB21 系列 金属化聚酯薄膜 电容器
信息内容：本公司生产的CL21系列电容器是以金属化聚酯薄膜为介质，阻燃环氧树脂包封， CP线径向引出，具有电容量和电压使用范围宽、绝缘电阻高、温升低、自愈性能良好、 性能稳定等特点！欢迎新老客户光临洽谈！ 产品结构 金属化聚脂薄膜为介质，阻燃环氧树脂包封，CP线径向引出。 脚距( P )可选 7.5mm 10mm 15mm 20mm 21mm 26.5mm 31mm 产品特点 电容量和电压使用范围宽 绝缘电阻高，体积小 自愈性能良好，内部升温小 电性能稳定,使用寿命长 用途 适用通讯器材、电子仪器、家用电器的直流、VHF级信号、滤波、降噪、低脉冲电路中。 技术要求 引用标准：IEC384-17GB/T14579-93 容量范围：0.01uf - 10.0uf 额定电压：100／160V 250V 400V 630V 使用温度范围：-40℃～+85℃ 容量偏差：±5％（J） ±10％（K） ±20％（M） 试验电压：2倍额定电压 损耗角正切：≤0．8％（25ºC，1KHZ） 绝缘电阻：CR≤0.33μF≥7500MΩ CR>0.33μF≥2500S
供应CBB81金属化薄膜高压电容1250V682J
信息内容：CBB81型金属化薄膜电容器： ☆ 金属化膜和铝箔内串联无感式结构，具有自愈特性 ☆ 高频损耗极小，绝缘电阻高 ☆ 能承受高电压与高脉冲电流及特大电流 ☆ 阻燃环氧树脂包封，单向引出 ☆ 适用于彩色电视机、显示器作行回扫逆程电容，同样适用于开关电源、电子镇流器等其它电子设备的高电压，高脉冲线路中 技术要求： ☆ 引用标准：GB/T 14579(IEC60348-17) ☆ 气候类别：40/085/21 ☆ 额定电压：1200V、1250v、1600V、2000V ☆ 电容量范围：0.001-0.1μF ☆ 电容量偏差：H(±3%),J(±5%)，K(±10%) ☆ 耐电压：1.8UR(5s) ☆ 绝缘电阻：≥30000MΩ(20℃, 1min) ☆ 损耗角正切：≤0.001(20℃, 10KHz)
