HMC1022 二维磁阻传感器
| 价 格： | 88.00 |
品牌:霍尼韦尔 型号:HMC1022 种类:光学 材料:混合物 材料物理性质:半导体 制作工艺:集成 输出信号:模拟型
HMC1021/HMC1022磁阻传感器机构为四臂的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。
可检测低至85微高斯的磁场。这两种新的低成本型传感器具有更小的体积和更低的功耗。
特点和优势
更宽的磁场范围、小体积、固态、低功耗、成本降低
应用领域
罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。技术指标
型号 HMC1021/1022
参数 条件 最小值 典型值 值 单位
电桥电压 电桥电压相对于地 5 12 V
电桥电阻 电桥电流=5mA 800 1100 1300 Ω
工作温度 1021D工作温度为-40~300℃ -55 150/300 ℃
储存温度 环境温度 -55 175 ℃
磁场范围 满量程（FS）－所有施加的磁场 -6 6 Gauss
线性度误差 拟合曲线 ±1Gauss 0.05 %FS
（25℃） ±3Gauss 0.4
±6Gauss 0.6
迟滞误差 ±3Guass，3次来回，@25℃ 0.08 %FS
重复性误差 ±3Guass，3次来回，@25℃ 0.08 %FS
灵敏度 S/R=0.5A 0.8 1 1.2 mV/V/Gauss
噪声密度 在1Hz时的密度，电桥电压＝5V 48 Nv/√Hz
分辨率 带宽＝10Hz，电桥电压＝5V 85 μ Gauss
带宽 磁信号（下限＝DC） 5 MHz
OFFSET电流带 从OFFSET+ 至OFFSET- 测量 38 50 60 Ω
OFFSET电流带电阻温度系数 TA=-40 至125℃ 3900 ppm/＆#730;C
OFFSET磁场 磁场施加在敏感轴方向 4 4.6 6 mA/guass
置位/复位电流带 从S/R+ 至S/R- 测量 5.5 7.7 9 Ω
置位/复位电流 2μs 电流脉冲 0.5 0.5 4 A
干扰磁场 灵敏度开始下降，用S/R脉冲恢复灵敏度 20 Gauss
灵敏度温度系数 TA=-40 至125℃ 电桥电压=5V -3200 -3000 -2800 ppm/℃
电桥电流=5mA -600
电桥温度系数 TA=-40 至125℃ 无置位/ 复位 ± 500 ppm/℃
Vbridge=5V 有置位/ 复位 ± 10
电阻温度系数 电桥电压=5V，-40～125℃ 2500 ppm/℃
横向干扰 正交磁场=1 Gauss施加磁场± 1Gauss 0.3 ％FS
暴露磁场 对零点无效果 10000 Gauss
置位/复位 S/R ≥ 0.5A 30 μV
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HMC1021 HMC1021Z 磁阻传感器
信息内容：品牌:霍尼韦尔 型号:HMC1021 HMC1022 种类:磁敏 制作工艺:集成 输出信号:模拟型HMC1021/HMC1022磁阻传感器机构为四臂的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。 可检测低至85微高斯的磁场。这两种新的低成本型传感器具有更小的体积和更低的功耗。 特点和优势更宽的磁场范围、小体积、固态、低功耗、成本降低应用领域罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。 1022 技术指标 型号 HMC1021/1022 参数 条件 最小值 典型值 值 单位电桥电压 电桥电压相对于地 5 12 V电桥电阻 电桥电流=5mA 800 1100 1300 Ω工作温度 1021D工作温度为-40~300℃ -55 150/300 ℃储存温度 环境温度 -55 175 ℃磁场范围 满量程（FS）－所有施加的磁场 -6 6 Gauss线性度误差 拟合曲线 ±1Gauss 0.05 %FS （25℃） ±3Gauss 0.4 ±6Gauss 0.6 迟滞误差 ±3Guass，3次来回，@25℃ 0.08 %FS重复性误差 ±3Guass，3次来回，@25℃ 0.08 %FS灵敏度 S/R=0.5A 0.8 1 1.2 mV/V/Gauss噪声密度 在1Hz时的密度，电桥电压＝5V 48 Nv/√Hz分辨率 带宽＝10Hz，电桥电压＝5V 85 μ Gauss带宽...
HMC1001 霍尼韦尔 单轴磁阻传感器
信息内容：品牌:霍尼韦尔 型号:HMC1001 种类:磁敏 制作工艺:集成 输出信号:模拟型HMC1001/HMC1002磁阻传感器是用来测量磁场强度和方向及测量由于铁磁物质干扰造成的磁场变化, 无需外部线圈辅助，其分辨率高达30μGauss，高线性磁场信号，带宽5MHz。HMC1001是一维磁阻微电路，是一个单边封装（SIP）的磁场传感器，感应与管脚方向平行的磁场。HMC1002是两维磁阻微电路，是封装在小型集成电路（SOIC）中的双磁场传感器。两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器A感应与外封装长边方向平行的磁场,传感器B感应与封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。HMC1021/HMC1022是HMC1001/HMC1002的改进型产品。它的结构为四壁的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。可检测低至85微高斯的磁场。HMC1021/HMC1022是新型的低成本传感器，具有更小的体积.适用领域：罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。型号HMC1001/1002参数条件最小值典型值值单位电桥电压工作电压，-40-85℃ 510V电桥电阻桥路电流=10mA6008501100Ω测量范围线性全程量-2.2 2.2Gauss磁场分辨率带宽=0-10Hz,S/R脉冲=4A 40 μGauss线性度±0.5Guass相对±1Guass直线 12%FS电桥...
