大量供应贴片二极管SS14
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品牌:TOSHIBA东芝 型号:SS14 应用范围:肖特基 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装 功率特性:大功率 频率特性:高频 发光颜色:无光 LED封装:无色散射封装(W) 出光面特征:方形 发光强度角分布:标准型 正向工作电流:1.0（A） 反向电压:40V（V）
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
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变容二极管 BB910
信息内容：品牌:国产 型号:BB910 应用范围:变容 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:玻璃封装 功率特性:小功率 频率特性:低频 发光颜色:无色 LED封装:无色透明封装(T) 出光面特征:圆形 发光强度角分布:标准型 正向工作电流:00（A） 反向电压:00（V）变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V（变容二极管是反向来用的），则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化。如此一来，反向电压V增大，则耗尽层d变宽，二极管的电容量C就减少（根据C=kS/d），而耗尽层宽d变窄，二极管的电容量变变大。反向电压V的改变引起耗尽层的变化，从而改变了压控变容器的结容量C。变容二极管及其作用1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 图4-17是变容二极管的电路图形符号。
仙童原装三极管TIP41C TO-220
信息内容：品牌:FairChild仙童 型号:TIP41C 应用范围:放大 功率特性:大功率 频率特性:低频 极性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 特征频率:1（MHz） 集电极允许电流:6（A） 集电极允许耗散功率:65（W） 营销方式:现货 产品性质:热销大功率三极管TIP41C参数制作材料： 硅-NPN性质： 低频或音频放大 （LF），功率放大 （L）封装形式： 直插封装 TO-220(见上图)极限工作电压： 100V电流允许值： 6A耗散率： 65W放大倍数： 未知放大倍数工作频率： <1MHZ或者未知工作频率
