批发恩智浦NXP可控硅，BT136 600E/D
| 价 格： | 1.00 |
品牌:恩智浦NXP 型号:BT136-600E/D 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:塑料封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:4（A） 控制极触发电压:1.7-3.5（V） 正向重复峰值电压:600（V）
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批发供应恩智浦NXP（原飞利浦）可控硅BT136-600E/D
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL | PARAMETER | MAX. | MAX. | UNIT |
| BT136- | 600E | 800E |
|
VDRM | Repetitive peak off-state voltages | 600 | 800 | V |
IT(RMS)ITSM | RMS on-state current Non-repetitive peak on-state | 4 25 | 4 25 | A A |
| current |
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LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN. | MAX. | UNIT | |||
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| -600 | -800 |
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VDRM | Repetitive peak off-state |
| - | 6001 | 800 | V |
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| voltages |
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| A |
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IT(RMS)ITSM | RMS on-state current Non-repetitive peak | full sine wave; Tmb ≤107 °C full sine wave; Tj= 25 °C prior to | - | 4 |
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| on-state current | surge |
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| t = 20 ms | - | 25 | A | |||
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| t = 16.7 ms | - | 27 | A | |||
I2t | I2t for fusing | t = 10 ms | - | 3.1 | A2s | |||
dIT/dt | Repetitive rate of rise of | ITM= 6 A; IG= 0.2 A; |
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| on-state current after | dIG/dt = 0.2 A/µs |
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| |||
| triggering | T2+ G+ | - | 50 | A/µs | |||
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| T2+ G-T2- G- | -- | 50 50 | A/µs A/µs | |||
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| T2- G+ | - | 10 | A/µs | |||
IGM | Peak gate current |
| - | 2 | A | |||
VGM | Peak gate voltage |
| - | 5 | V | |||
PGM | Peak gate power |
| - | 5 | W | |||
PG(AV)TstgTj | Average gate power Storage temperature Operating junction | over any 20 ms period | --40 - | 0.5 150 125 | W °C °C | |||
| temperature |
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原装NXP可控硅 BTA201-800ER
信息内容：品牌:NXP恩智浦 型号:BTA201-800ER 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:塑料封装http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BTA201_SER_B_E_ER.pdf
供应双向触发二极管DB3(图)
信息内容：Ø 产品类别: 双向触发二极管Ø 器件型号: DB3Ø 封装形式: DO-35Ø 主要参数: ITRM: 2.00ATstg/Tj: -40to+125ºC VBO: 28-36VØ 元件品牌:JBL/杰宝莱电子Ø 制 造 商: JBL/杰宝莱电子Ø 出 产 地: 中国Ø 出厂日期: 2005+ Ø 包装规格: 盒装，DO-35，每盒5000只Ø 出货规格: 5K起出货Ø 库存状况: 10000000Ø 可供现货: 100000 PCS/只Ø 销售状况: 款到发货
