供应东芝三极管GT80J101.GT系列
| 价 格： | 面议 |
品牌:东芝 型号:GT60M301.GT60N321.GT60M303.GT50J102.GT50J301.T50J321.GT50J101.GT30J322 类别:直插 材料:锗 极性:NPN型 封装形式:金属封装 应用范围:功率
公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展
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供应场效应IGBT
信息内容：品牌:仙童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:1（μS） 极间电容:2（pF） 低频噪声系数:01（dB） 漏极电流:23（mA） 耗散功率:250（mW）公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展主营厂家:: IR.仙童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON.POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等..
三极管,场效应,IGBT
信息内容：品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRG4IBC30KD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HI-REL/高可靠性 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:12（μS） 极间电容:12（pF） 低频噪声系数:12（dB） 漏极电流:12（mA） 耗散功率:333（mW）公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展!!主营厂家::IR.仙童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON.POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等.. 本公司也有收购；三极管.二极管.I C 等..原装的..散新的,剪脚的,上机的.拆机的.等都可以..有意请联系我们..QQ；100180338
