品牌:进口 型号:C3157 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 特征频率:0(MHz) 集电极允许电流:0(A) 集电极允许耗散功率:0(W) 营销方式:现货 产品性质:冷门
价格优势
品牌:东芝 型号:K2850 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 开启电压:0(V) 夹断电压:0(V) 低频跨导:0(μS) 极间电容:0(pF) 低频噪声系数:0(dB) 漏极电流:0(mA) 耗散功率:0(mW)主经营大 中 小功率三极管,电容,贴片;主要封装有TO-3P 220 263 252 ,,,,场效应 快速 整流 高压 达林顿 三端 可控硅等; 主要是拆机 翻新;有需要请联系;
品牌:ST,IR,MBR,TOSHIBA.... 型号:全系列(如13009、D92-02、K2485等系列) 应用范围:放大 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:合金型,触型 材料:锗 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 特征频率:0(MHz) 集电极允许电流:0(A) 集电极允许耗散功率:0(W) 营销方式:现货 产品性质:热销 IRFP260N TO-3P