高压可控硅、双向可控硅
| 价 格： | 2.85 |
品牌:国产 型号:BTA16-1200B 控制方式:双向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220A 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:中功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:16（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:25（mA） 正向重复峰值电压:1200（V） 反向阻断峰值电压:1200（V）
*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产
*芯片一致性好，参数稳定
*封装车间达到国际无尘标准
*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产
型号：BTA16-1200B |
电流/IT(RMS)：16(A) |
电压/VDRM：(1200V) |
触发电流/IGT：25mA |
触发电压/VGT： |
VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V |
VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V |
工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃) |
门极散耗功率：0.5W |
供应BTA16-1200B,价格合理,有意者请联系! |
- 所属城市：广东 深圳
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双向可控硅、高压可控硅BTA20-1200B
信息内容：品牌:国产 型号:BTA20-1200B 控制方式:双向 极数:四极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:20（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:25（mA） 正向重复峰值电压:1200（V） 反向阻断峰值电压:1200（V）*芯片采用双台面玻璃钝化工艺生产*芯片一致性好，参数稳定*封装车间达到国际无尘标准*芯片参数和具体要求可根据客户要定制生产 型号：BTA20-1200B电流/IT(RMS)：20(A)电压/VDRM：1200V触发电流/IGT：25mA触发电压/VGT： VD=12V；IT=0.1A； 0.6～1.5V VD=VDRM(max)；IT=0.1A；Tj=125℃ 0.25～0.4V 工作温度：125℃(储存温度：-40～+150℃)门极散耗功率：0.5W供应BTA20-1200B,价格合理,有意者请联系!
双向可控硅、三象限可控硅BTA04-800BW
信息内容：品牌:国产 型号:BTA04-800BW 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:小功率 频率特性:中频 额定正向平均电流:4（A） 控制极触发电压:1.3（V） 控制极触发电流:25（mA） 正向重复峰值电压:800（V） 反向阻断峰值电压:800（V）4A双向绝缘可控硅● 型号:BTA04-800BW● 封装: TO-220● 包装：管装（50PCS/1管，20管/1盒，5盒/1箱）● 用途：主要用于变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。参数名称符号额定值单位断态重复峰值电压VDRM＞800V反向重复峰值电压VRRM＞800V通态平均电流IT4A通态不重复浪涌电流ITSM40A结温TJ125℃贮存温度Tatg-40～150℃极限参数（Ta=25℃） 电参数(Ta=25℃)参数名称符号单位规范值测试条件MinMax断态重复峰值电压VDRMV6001200ID=0.1mA断态重复峰值电流IDRMμA 10VDRM=520v通态峰值电压VTMV1.11.3IT=6A维持电流IHmA 510IT=0.1A,IGT=20mA控制极触发电流T2+G+IGTmA 25VAK=12V,RL=100ΩT2+G- 25T2-G- 25控制极触发电压T2+G+VGTV 1.3VD=12V,RL=100ΩT2+G- 1.3T2-G- 1.3
