供应MOS/场效应管STP25NM60N
| 价 格： | 面议 |
品牌:ST（意法） 型号:STP25NM60N 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:650（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:125（mW）
dzsc/17/3095/17309596.jpg
型号：STP25NM60N
品牌：ST（意法半导体）
封装：TO-220
现货库存数量：10000pcs
原装现货 长期供应
联系人：吴小姐0755-83201381/13480116424
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张锦秀
- 电话：755-83201381
- 传真：755-83201381
- 手机：
- QQ ：
IRF5305PBF 场效应管
信息内容：品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRF5305PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:-55（V） 夹断电压:55（V） 低频跨导:标准（μS） 极间电容:标准（pF） 低频噪声系数:标准（dB） 漏极电流:标准（mA） 耗散功率:标准（mW）制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER 制造商编号: IRF5305PBF 描述晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 值:-31A电压, Vds :55V开态电阻, Rds(on):0.06ohm电压 @ Rds测量:-10V电压, Vgs :-4V功耗:110W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:110W器件标记:IRF5305封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.4°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:-55V电流, Id 连续:31A电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
高压MOS管 FQP8N60C
信息内容：品牌:FSC 型号:FQP8N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:+-30（V） 夹断电压:600（V） 耗散功率:14700（mW）常年备货高压MOS，原装进口FSC品牌:FQPF10N60C FQPF2N60CFQPF5N60CFQPF12N60CFQPF8N80C及ST品牌：STP25NM60NSTP25NM50NSTP12NM50N....欢迎来电：吴小姐13480116424/0755-83201381 量大价优，长期备货，订货！货值满5000元包运费！！
