CT81超高压瓷介电容器1KVDC～50KVDC
| 价 格： | 3800.00 |
品牌:GEC 型号:10KV--E18--472M 介质材料:陶瓷(瓷介) 应用范围:高压 外形:圆片形 功率特性:大功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±20（%） 耐压值:3000（V） 标称容量:100PF～10000PF 损耗:≤2% 额定电压:1KVDC～50KVDC（V）
CT81超高压瓷片电容器：
适用于电子设备中的高压旁路和耦合电路及倍压电路。
主要参数及要求：
1.静电容量 在1KHz（II类）或1MHz（I类）和25℃±2℃，Vrms=1.0v条件下，不超过容量精度要求。
2.损耗角正切tgδ Y5P Y5U Y5V D.F.＜2.5%
Bn D.F.＜0.5%
2R D.F.＜0.1%
3.绝缘电阻 在DC500V电压下1分钟时，
I类（SL YL） I.R.≥10000MΩ.
II类（R BN/D B/E/F ）I.R.≥4000MΩ.
4.测试电压 UR＜6KV，Ut=1.5UR+500v UR≥6kv，ut=1.5*UR
- 所属城市：江苏 南京
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CT81高压瓷片电容器5KV-E15-222M
信息内容：品牌:GEC 型号:5KV-E15-222M 介质材料:陶瓷(瓷介) 应用范围:高压 外形:圆片形 功率特性:中功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±20（%） 耐压值:3000（V） 标称容量:2200PF 损耗:≤2% 额定电压:5000（V）厂家直销，性能稳定。 CT81超高压瓷片电容器：适用于电子设备中的高压旁路和耦合电路及倍压电路。 主要参数及要求：1.静电容量 在1KHz（II类）或1MHz（I类）和25℃±2℃，Vrms=1.0v条件下，不超过容量精度要求。 2.损耗角正切tgδ Y5P Y5U Y5V D.F.＜2.5% Bn D.F.＜0.5% 2R D.F.＜0.1% 3.绝缘电阻 在DC500V电压下1分钟时， I类（SL YL） I.R.≥10000MΩ. II类（R BN/D B/E/F ）I.R.≥4000MΩ. 4.测试电压 UR＜6KV，Ut=1.5UR+500v UR≥6kv，ut=1.5*UR
CBB21 CBB22 金属化聚丙烯膜电容器
信息内容：品牌:国产 型号:CBB22 104J-1000V 介质材料:有机薄膜 应用范围:高频、直流、交流和脉冲电路 外形:长方形 功率特性:大功率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:同向引出线 允许偏差:±5（%） 耐压值:1600（V） 标称容量:104PF 损耗:≤0.001(1KHZ 20℃) 额定电压:1000（V）特点：自愈性好，寿命长；高频损耗小，内部温升小；环氧树脂封装。应用：广泛用于高频、直流、交流和脉冲电路中。技术要求：环境温度：-55℃~+85℃额定电压：100V、250V、400V、630V、1000VDC容量精度：J±5%，K±10%耐电压：1.5UR （5S）损耗角正切：≤0.001 CR≤1UF(1KHZ 20℃) ≤0.0015 CR＞1UF(1KHZ 20℃)绝缘电阻：≥25000MΩ CR≤0.33UF ≥7500MΩ CR＞0.33UF
