供应800V,7A N-CH MOS管FQPF7N80C
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQPF7N80C | |
| 品牌/商标： | FSC | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
供应800V,7A N-CH MOS管FQPF7N80C
FQP7N80C/FQPF7N80C
800V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies.
Features
• 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 27 nC)
• Low Crss ( typical 10 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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供应CSNE151-005霍尔电流传感器
信息内容：产品规格︰ CSNE151-005 额定电流（有效值）// 5~25A 测量范围（峰值）// 0~±36A 负载阻抗（额定电流时）// 100~320Ω额定输出 //25mA 线圈匝比 //1-2-3-4-5:1000 线圈阻抗（70°C）// 110Ω 工作电压 //±12~15V（±5%） 精确度 //±0.5% 线性度 //±0.2% 绝缘耐压 //5kV rms/50HZ/1分钟 零点输出 //±0.15mA以内 温度漂移（0~70°C）// ±0.17mA(典 型值）±0.6mA(值） 响应时间 //<1μs <0.2μs di/dt动态特性 //>50A/μs 带宽 //DC~150kHZ DC~200kHZ 消耗电流 //10mA+输出电流(±15V) 工作温度范围 // -40~+85°C 储存温度范围 // -40~+90°C 重量 // 16g 体积长*宽*高 // 26*28*20(mm)
供应CSNP661霍尔电流传感器
信息内容：产品规格︰ CSNP661额定电流（有效值）// 50A 测量范围（峰值）// 0~±90A 负载阻抗（额定电流时）// 50~100Ω 额定输出 //50mA 线圈匝比 // 1:1000 线圈阻抗//（70°C） 30Ω 工作电压 //±12~15VDC（±5%） 精确度// ±0.5% 线性度 //±0.1% 绝缘耐压 //3kV rms/50HZ/1分钟 零点输出// ±0.2mA以内 温度漂移（0~70°C） //±0.3mA(典型值）±0.5mA(值） 响应时间 //<0.5μs di/dt动态特性 //>100A/μs 带宽 //DC~150kHZ 消耗电流 //10mA+输出电流 工作温度范围 //-40~+85°C 储存温度范围// -40~+90°C 重量 //18g体积长宽高//36.5*14.5*29.8mm穿孔尺寸//10*13.5mm
