封装形式 | 贴片型 | 装配方式 | 通孔插装 |
封装材料 | 树脂封装 | 发光颜色 | 蓝色 |
功率特性 | 大功率 | 营销方式 | 厂家直销 |
产品性质 | 热销 | 应用范围 | 功率() |
Part Number(编码) |
Chip(晶片) | ||
1W蓝色 |
Material(材料) |
Emitting(颜色) |
入P(nm) |
InGaN |
BLUE |
465 |
Parameter(参数) |
Symbol |
MIN |
TYP |
MAX |
UNIT |
TEST CONDITION |
Forward Voltage(顺向电压) |
VF |
3.0 |
/ |
3.4 |
V |
If=350mA |
Domi Wavelength(主波长) |
λd |
465 |
/ |
470 |
nm |
|
Reverse Current(反向电流) |
IR |
10 |
μA |
VR=5V | ||
Power dissipation (消耗功率) |
Pd |
1000 |
mW |
|||
Luminous Intensity (发光强度) |
IV |
10 |
/ |
20 |
LM |
If=350mA |
Peak Forward Current (顺向电流峰值) |
If(Peak) |
500 |
mA |
|||
Recommend Forward Current (顺向电流) |
If(Rec) |
350 |
mA |
|||
Electrostatic Discharge (静电释放) |
ESD |
2000 |
V |
1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS:(Ta=25℃)
2.OPERATING TEMPERATURE:—40℃TO80℃(操作温度)
3.LEAD SOLDERING:260℃FOR 5SECONDS(焊接条件)4.储存条件:25℃以下60%湿度以下
Part Number(编码) Chip(晶片) 1W白色 Material(材料) Emitting(颜色) 入P(nm) InGaN WHITE / Parameter(参数) Symbol MIN TYP MAX UNIT TEST CONDITION Forward Voltage(顺向电压) VF 3.0 / 3.4 V If=350mA Domi Wavelength(主波长) λd / / / nm Reverse Current(反向电流) IR 10 μA VR=5V Power dissipation (消耗功率) Pd 1000 mW Luminous Intensity (发光强度) IV 80 / 100 LM If=350mA Peak Forward Current (顺向电流峰值) If(Peak) 500 mA Recommend Forward Current (顺向电流) If(Rec) 350 mA Electrostatic Discharge (静电释放) ESD 2000 V 1.B...
封装形式 贴片型 装配方式 有引线表面组装 封装材料 树脂封装 发光颜色 橙色 功率特性 大功率 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 应用范围 功率() Part Number(编码) Chip(晶片) 1W黄色 Material(材料) Emitting(颜色) 入P(nm) InGaN YELLOW 590 Parameter(参数) Symbol MIN TYP MAX UNIT TEST CONDITION Forward Voltage(顺向电压) VF 2.0 / 2.4 V If=350mA Domi Wavelength(主波长) λd 588 / 592 nm Reverse Current(反向电流) IR 10 μA VR=5V Power dissipation (消耗功率) Pd 1000 mW Luminous Intensity (发光强度) IV 30 / 40 LM If=350mA Peak Forward Current (顺向电流峰值) If(Peak) 500 mA Recommend Forward ...