供应30V,5A Dual P-Ch MOSFET AO4801
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO4801 | |
| 品牌/商标： | AOSMD | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | |
AO4801
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = -30V
ID = -5 A (VGS = -10V)
RDS(ON) < 49mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 64mΩ (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
- 所属城市：广东 深圳
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供应500V,15A,80w N-CH MOS管2SC3320
信息内容：产品型号：2SC3320 2SC3320:原装 TO-3P封装 产地:日本 品牌:2SC3320 电流:15A 电压:500/400V 功率:80W
供应FGA25N120ANTD 1200V,25A,N-CH MOS管
信息内容：仙童IGBT单管FGA25N120ANTD价格好，货源足！ 型号:FGA25N120ANTD类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电磁炉,不间断电源,高频电源 甚至可以改造用在逆变焊机上封装形式:TO-3P 单管IGBT与模块IGBT比较; 1. 单管FGA25N120ANTD的说明书多数对应电磁炉.用于焊机,驱动要略加调正. 2. 模块IGBT经过二次封装,绝缘、耐压、传热、导电处理良好. 解决办法:将单管IGBT组装在一个铝合金块上,封成全桥模块. 单管IGBT与MOS管比较; 1. 单管FGA25N120ANTD是克服MOS管功率小而产生的器件,替代必然合理! 2. MOS管的优点频率高,但并联20—30支管子无可靠性而言,不是可持续发展的产品! 实践 1. TIG-160.用4只FGA25N120ANTD单管,瑞凌控制电路,主变、电抗另外设计, F=45Khz.Io=150A.发热正常,波形良好, 2. WS-315. 用8只25N120单管,F=27Khz,Io=315A.U2=66V. 3. WSE-200.在WS-315机改制, 只是后级加三个独立部件,也是单管,超低成本!起弧电流才20A,清扫0.1—0.9, 应用对象:铝扁线变压器引出头与铝焊片的焊接,解决了铝线引出头可靠性!应用市场广阔. 4. 扩展为LG-63或ZX7-315也很容易! 用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场...
